長鑫存儲內存芯片自主製造項目投產

【中新社合肥9月20日電】（記者　張俊）長鑫存儲內存芯片自主製造項目20日在安徽合肥宣佈投產，其生產的10納米級第一代8GB DDR4與國際主流DRAM產品同步，一期設計產能每月12萬片晶圓。

DRAM即動態隨機存取存儲器，是芯片產業中產值佔比最大的單一品類。2018年，中國芯片進口額超過3000億美元，這個單一品類就佔到了其中的兩成以上。其作為最常見的內存芯片，被喻為連接中央處理器的『數據高速公路』，廣泛應用於高性能計算、工業設備、消費電子等電子產品之中。

合肥長鑫存儲內存芯片自主製造項目以打造設計和製造一體化的內存芯片國產化製造基地為目標。2016年5月，項目由合肥市政府旗下投資平台合肥產投與細分存儲器國產領軍企業兆易創新共同出資組建，該項目總投資約1500億元人民幣，是安徽省單體投資最大的工業項目。目前，項目已獲得中國工信部旗下檢測機構——中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。

清華大學微電子所所長魏少軍、中國科學技術大學特聘教授陳軍寧等業內專家表示，這標誌中國在內存芯片領域實現量產技術突破，擁有了這一關鍵戰略性元器件的自主產能。